特許
J-GLOBAL ID：200903079901530590
半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307667
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087545
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】消去電圧などの動作電圧について低電圧化が可能であり、低コスト化が可能である半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ガラスあるいはプラスチックからなる絶縁性基板10上に形成されたチャネル形成領域を有する半導体層31bと、半導体層上に形成された電荷蓄積層32aと、電荷蓄積層の上方に形成されたコントロールゲート33aと、チャネル形成領域に接続して形成されたソース・ドレイン領域とを有し、メモリトランジスタとなる薄膜トランジスタが形成されている構成とする。
請求項（抜粋）：
電荷蓄積層を有するメモリトランジスタが接続された半導体不揮発性記憶装置であって、ガラスあるいはプラスチックからなる絶縁性基板上に形成されたチャネル形成領域を有する半導体層と、前記半導体層上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層の上方に形成されたコントロールゲートと、前記チャネル形成領域に接続して形成されたソース・ドレイン領域とを有し、前記メモリトランジスタとなる薄膜トランジスタが形成されている半導体不揮発性記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
, H01L 29/786
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 613 B
