特許
J-GLOBAL ID：200903002996172528

半導体装置テストエレメントの製造方法及びその薄膜物性値測定方法

発明者：
大曽根 靖夫

大曽根 靖夫 について

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中里 典生

中里 典生 について

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纐纈 達也

纐纈 達也 について

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今井 一男

今井 一男 について

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玉置 洋一

玉置 洋一 について

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松田 弘成

松田 弘成 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028385
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】被測定薄膜の物性値を半導体装置の薄膜の物性値に近いものとし、信頼性に優れた半導体装置の熱的設計を可能にする。【解決手段】半導体装置テストエレメントの製造方法及びその薄膜物性値測定方法において、薄膜を積層して半導体素子18を形成するウエハ1上に薄膜物性値を測定するためのテストエレメントグループ17の領域を確保し、このテストエレメントグループ17の領域に、半導体素子18を形成する薄膜の形成工程と同一工程で被測定薄膜7を形成すると共に、この被測定薄膜17の物性値を測定する。
請求項（抜粋）：
複数の薄膜を積層して半導体素子を形成するウエハ上に薄膜物性値を測定するためのテストエレメント領域を確保し、このテストエレメント領域に前記半導体素子を形成する薄膜の形成工程と同一工程で被測定薄膜を形成することを特徴とする半導体装置テストエレメントの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  G01N 25/18
FI (3件)：
H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 L ,  G01N 25/18 E
Fターム (20件)：
2G040AB08 ,  2G040AB09 ,  2G040BA18 ,  2G040BA26 ,  2G040CA02 ,  2G040CB04 ,  2G040CB09 ,  2G040DA02 ,  2G040DA13 ,  2G040EA02 ,  2G040EB02 ,  2G040EC04 ,  2G040ZA05 ,  4M106AA07 ,  4M106AA10 ,  4M106AA13 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CA70 ,  4M106DH32
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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