薄膜半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-287383
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125195
出願日： 1994年10月26日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン間のリーク電流を減少させ、また、劣化等を防止する。【構成】シリコンをエッチングする作用を有する液体(NH2 基を有するヒドラジン(NH2 NH2 )やエチレンジアミン(NH2 (C2 H2 )NH2 )や気体(フッ化塩素等)を用いて、ウェットエッチング法もしくは非電離状態のガスエッチング法によってシリコン膜をエッチングし、テーパー状のエッヂを有する島状シリコン半導体領域を得る。さらに、その上を覆って、熱CVD法等の非プラズマプロセスによるゲイト絶縁膜を形成する。以上のプロセスにより、プラズマによるダメージを全く受けない島状シリコン領域とゲイト絶縁膜を得ることができ、プラズマダメージに由来するソース/ドレイン間のリーク電流を低減でき、また、特性劣化を防止できる。

請求項（抜粋）：

(1) 絶縁表面上に形成された厚さ100〜1000Åのシリコン膜上にマスク膜を選択的に形成する工程と、(2) シリコンをエッチングする作用を有する液体もしくは非電離状態の気体によって、前記マスクを用いてシリコン膜をエッチングすることにより島状の薄膜シリコン半導体領域を形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 29/78 627 C , H01L 21/302 P , H01L 21/306 Q

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-040522 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-188876
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-305469 出願人：川崎製鉄株式会社

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