特許
J-GLOBAL ID：200903083448369330
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085205
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284222
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成された半導体素子内および半導体素子間の電気的な分離が充分でなく、諸特性が悪く、高集積化ができないという問題があった。【解決手段】 周期表第IV族の単一元素から成る基板上に、周期表第III -V族の元素から成る化合物半導体層を形成し、この化合物半導体層を用いて複数の半導体素子を形成した半導体装置であって、上記複数の半導体素子間や複数の電極間における基板の表面部に、上記化合物半導体層が存在しない溝を設けた。
請求項（抜粋）：
周期表第IV族の単一元素から成る基板上に、周期表第III -V族の元素から成る化合物半導体層を形成し、この化合物半導体層を用いて複数の電極を有する複数の半導体素子を形成した半導体装置において、前記複数の半導体素子間における前記基板の表面部に、前記化合物半導体層が存在しない溝を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/76
, H01L 27/095
, H01S 3/18
H01L 33/00 A
, H01S 3/18
, H01L 21/76 L
, H01L 29/80 E
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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