特許
J-GLOBAL ID：200903003037627466

半導体素子およびその製造方法

発明者：
バルテルメス,ライナー

バルテルメス,ライナー について

, 
シュルツェ,ハンス-ヨアヒム

シュルツェ,ハンス-ヨアヒム について


出願人/特許権者：
オイペク オイロペーシェ ゲゼルシャフト フューア ライストゥングスハルプライター エムベーハー

オイペク オイロペーシェ ゲゼルシャフト フューア ライストゥングスハルプライター エムベーハー について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-500078
公開番号（公開出願番号）：特表2006-523009
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
本発明は、半導体素子の製造方法に関するものである。この方法は、第1導電型および第2導電型の電荷キャリアを再結合するために、半導体基板(100)に再結合中心部を形成するためのマスクとして端子電極(40)を用いて、高エネルギー粒子を半導体基板(100)の表面(101)に照射する方法工程、を含んでいる。
請求項（抜粋）：
表面(101)と、裏面(102)と、内側領域(103)と、エッジ(105)と、上記内側領域(103)と上記エッジ(105)との間に配置されたエッジ領域(104)とを備え、上記内側領域(103)と上記エッジ領域(104)とに第1導電型の第1半導体域(20)が配置され、上記内側領域(103)内に含まれる表面(101)の領域に第1導電型に対して相補的な第2導電型をした少なくとも1つの第2半導体域(30)が配置された半導体基板を設けて、 上記半導体基板の表面(101)に含まれる第2半導体域(30)上に、端子電極(40)を形成し、 該端子電極(40)をマスクとして用いて、高エネルギー粒子を表面(101)に照射し、上記第1導電型および第2導電型の電荷キャリアを再結合させて、半導体基板(100)に再結合中心部を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/861 ,  H01L 21/329
FI (3件)：
H01L29/91 J ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 D
引用特許：
出願人引用 (8件)
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-200064   出願人：株式会社東芝
  • 特開昭61-014755
  • 特開昭63-090169
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審査官引用 (8件)
  • 半導体装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-200064   出願人：株式会社東芝
  • 特開昭61-014755
  • 特開昭63-090169
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