特許
J-GLOBAL ID：200903003104769718

結晶成長用基板およびZnO系化合物半導体デバイス

発明者：
加藤 裕幸

加藤 裕幸 について

, 
佐野 道宏

佐野 道宏 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086247
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282602
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 ZnO系化合物半導体の単結晶中には結晶欠陥が生じやすい。【解決手段】 a軸方向に階段状に連なった複数の(0001)面を有する六方晶結晶構造の化合物単結晶層上に、六方晶結晶構造のZnO系化合物半導体単結晶をそのa軸方向に傾斜させて成長させる。
請求項（抜粋）：
a軸方向に階段状に連なった複数の(0001)面を表面に有する六方晶結晶構造の化合物単結晶層を備え、該化合物単結晶層上に、a軸方向に傾斜した六方晶結晶構造のZnO系化合物半導体が成長される結晶成長用基板。
IPC (4件)：
H01L 21/365 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/16 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
H01L 21/365 ,  C30B 23/08 M ,  C30B 29/16 ,  H01L 33/00 D
Fターム (24件)：
4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077DA05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077SC08 ,  5F041CA02 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F045AA05 ,  5F045AB22 ,  5F045AD07 ,  5F045AD10 ,  5F045AE03 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02
引用特許：
出願人引用 (3件)

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