特許
J-GLOBAL ID：200903088816965136

発光素子及びその製造方法、可視光発光装置

発明者：
石崎 順也

石崎 順也 について

, 
山田 雅人

山田 雅人 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-366118
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170993
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 発光層部の構成する際に希少金属の使用量が少なく、かつ比較的低温で成長でき、しかも青色光領域さらには紫外線領域にて高輝度発光が可能な発光素子を提供する。【解決手段】 発光素子1は、p型クラッド層2、活性層33及びn型クラッド層34がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつp型クラッド層2がp型Mg<SB>x</SB>Zn<SB>1-x</SB>O(ただし、0<x≦1)層からなる。そして、その層形成をMOVPE法にて行なうことにより、成膜中の酸素欠損発生を効果的に抑制でき、良好な特性のp型Mg<SB>x</SB>Zn<SB>1-x</SB>O層を得ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
n型クラッド層、活性層及びp型クラッド層がこの順序にて積層された発光層部を有し、かつ前記p型クラッド層がp型Mg<SB>x</SB>Zn<SB>1-x</SB>O(ただし、0<x≦1)層からなることを特徴とする発光素子。
IPC (9件)：
H01L 33/00 ,  C01G 9/00 ,  C01G 15/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/55 CPB ,  C09K 11/62 CQF ,  H01L 21/205 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (10件)：
H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 C ,  C01G 9/00 B ,  C01G 15/00 Z ,  C09K 11/08 J ,  C09K 11/55 CPB ,  C09K 11/62 CQF ,  H01L 21/205 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 Z
Fターム (56件)：
3K007AB00 ,  3K007AB02 ,  3K007AB04 ,  3K007AB06 ,  3K007AB18 ,  3K007CA00 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007CC01 ,  3K007DA02 ,  3K007DC02 ,  3K007DC04 ,  3K007DC05 ,  3K007EC00 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  4G047AA04 ,  4G047AB01 ,  4G047AB04 ,  4G047AB05 ,  4G047AC03 ,  4G047AD02 ,  4H001CC14 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC19 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64
引用特許：
審査官引用 (5件)
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