特許
J-GLOBAL ID：200903003127364065

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

発明者：
江利口 浩二

江利口 浩二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-303674
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213375
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】 エッチングによって形成される凸部とマスクとの寸法変換差を低減し、かつ制御できるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板6上のポリシリコン膜4の上に、残存部と開口部とからなるパターンを有するレジスト膜5が形成されている。シリコン基板6を反応室内に設置し、反応室内にガスを導入し、ガスをプラズマ化しドライエッチングを行う。ガスの圧力と流量とを例えば5mTorr,100sccm以上の範囲で制御することにより、エッチング生成物3の凹部9上方空間への排出割合と凸部8の側壁への付着割合とを制御する。これにより、孤立凸部8aの下端部とレジスト膜5の残存部との横方向寸法差である寸法変換差を低減し、孤立凸部8aと密集凸部8bとの寸法変換差のばらつきも解消する。
請求項（抜粋）：
残存部と開口部とからなるパターンを有するエッチングマスクにより被エッチング部が被覆された半導体ウエハを反応室内に設置し、上記反応室内にガスを導入する工程と、上記ガスを用いてドライエッチングを行い、上記被エッチング部における上記エッチングマスクの残存部下方には凸部を上記エッチングマスクの開口部下方には凹部をそれぞれ形成する工程とを備え、上記反応室におけるガスの圧力と流量との調整により、上記ドライエッチングにより発生するエッチング生成物の上記凹部外への排出割合と上記凸部側壁への付着割合とを制御して、上記凸部の下端部と上記エッチングマスクの上記残存部との間における横方向寸法差である寸法変換差を所定範囲に収めることを特徴とするドライエッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 C
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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