電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川澄茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012472
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218128
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】InGaN低温堆積層を用いることにより、GaN系電界効果トランジスタのエピタキシャル層の総膜厚について、反り量を20μm以下に抑えるのに必要な1μm以下にすることを実現可能とすると共に、充分なデバイス特性を得ること。【解決手段】サファイア基板6上にInGaN低温堆積層5を設け、そのInGaN低温堆積層5上に、GaNバッファ層4を介して、GaN系電界効果トランジスタ構造1〜3を設け、成長層の総膜厚を0.3μm以上1μm以下とする。In<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N低温堆積層のIn組成xは0<x<0.3の範囲にする。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に、InGaN低温堆積層を介して、窒化ガリウムを含む窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系化合物半導体の電界効果トランジスタ構造を成長し、成長層の総膜厚を0.3μm以上1μm以下としたことを特徴とする電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 21/205 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 29/80 H

Fターム (26件)：

5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045BB07 , 5F045BB11 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045CA06 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (5件)

高電子移動度トランジスタ及び電力増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-179544 出願人：株式会社東芝
窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-302918 出願人：株式会社東芝
半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-322264 出願人：株式会社日立製作所

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