特許
J-GLOBAL ID：200903003158963650

誘電体膜の製造方法及び圧電素子の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法

発明者：
新保 俊尚

新保 俊尚 について

, 
栗城 彰

栗城 彰 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-185236
公開番号（公開出願番号）：特開2008-016586
出願日： 2006年07月05日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】結晶性に優れた誘電体膜を得ることができると共に、誘電体膜の結晶化を均一に行うことができる誘電体膜の製造方法及び圧電素子の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】基板110の一方面に誘電体膜72aをスパッタリング法により形成する第1誘電体膜形成工程と、該第1誘電体膜形成工程の後に当該第1誘電体膜形成工程により形成した前記誘電体膜72a上に誘電体前駆体膜71を形成すると共に該誘電体前駆体膜71を焼成して結晶化させた誘電体膜72bを形成する第2誘電体膜形成工程とを具備する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板の一方面に誘電体膜をスパッタリング法により形成する第1誘電体膜形成工程と、該第1誘電体膜形成工程の後に当該第1誘電体膜形成工程により形成した前記誘電体膜上に誘電体前駆体膜を形成すると共に該誘電体前駆体膜を焼成して結晶化させた誘電体膜を形成する第2誘電体膜形成工程とを具備することを特徴とする誘電体膜の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16
FI (7件)：
H01L41/22 Z ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  B41J3/04 103A ,  B41J3/04 103H
Fターム (17件)：
2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP22 ,  2C057AP24 ,  2C057AP25 ,  2C057AP32 ,  2C057AP33 ,  2C057AP34 ,  2C057AP52 ,  2C057AP56 ,  2C057AP57 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14
引用特許：
出願人引用 (4件)
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