特許

J-GLOBAL ID：200903003203003387

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 北平 康雄 ,  野口 康成 ,  土田 満穂
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-019135
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223885
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 横型高耐圧MOSFETの耐圧向上の為に設けられた拡散領域の濃度を安定化する。【解決手段】 半導体基板1に形成されるドレイン領域2と、前記ドレイン領域2の所定領域に、少なくとも前記ドレイン領域2に形成される空乏層の広がりを抑制する一導電型の高耐圧用拡散領域3、及び逆導電型の高濃度ドレイン領域8と、チャネルを形成する一導電型の高濃度チャネル領域12と、前記高濃度チャネル領域に形成された逆導電型の高濃度ソース領域7と、少なくとも前記高濃度チャネル領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極6とを有し、前記チャネル形成側の前記高耐圧用拡散領域3周辺部に一導電型の高濃度領域5を設けたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、前記半導体基板に形成されるドレイン領域と、前記ドレイン領域の所定領域に、少なくとも前記ドレイン領域に形成される空乏層の広がりを抑制する一導電型の高耐圧用拡散領域、及び逆導電型の高濃度ドレイン領域と、チャネルを形成する一導電型の高濃度チャネル領域と、前記高濃度チャネル領域に形成された逆導電型の高濃度ソース領域と、少なくとも前記高濃度チャネル領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有し、前記チャネル形成側の前記高耐圧用拡散領域周辺部に一導電型の高濃度領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/08 102 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-202815   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-137160   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-315851   出願人：松下電工株式会社