特許

J-GLOBAL ID：200903003209248659

3族窒化物半導体発光素子

発明者： 小池 正好 ,  永井 誠二 ,  山崎 史郎
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145449
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316587
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 短波長半導体レーザの実現化【構成】 サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN から成る高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約1.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープのAl0.08Ga0.92N から成るn伝導型のクラッド層4、膜厚約0.05μm、のIn0.08Ga0.92N から成る活性層5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度5 ×1017/cm3、濃度1 ×1020/cm3にマグネシウムがドープされたAl0.08Ga0.92N から成るp伝導型のクラッド層61、膜厚約0.2 μm、ホール濃度 2×1017/cm3、マグネシウム濃度 2×1020/cm3のマグネシウムドープのGaN から成るコンタクト層62が形成されている。各層の厚さの適正な設定によりクラックの発生しない良質な結晶層を得ることができる。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成り、活性層が両側からクラッド層で挟まれた3層構造を有する発光素子において、前記クラッド層の厚さを0.5〜2μmとしたことを特徴とする発光素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/12 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/12 S ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-098633   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-075005   出願人：株式会社日立製作所
• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-043581   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-242985