特許
J-GLOBAL ID：200903003219839515

高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
太宰 尚宏

太宰 尚宏 について

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森 貴敬

森 貴敬 について

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清水 宏明

清水 宏明 について

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大下 京子

大下 京子 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-233247
公開番号（公開出願番号）：特開2009-062491
出願日： 2007年09月07日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：
【課題】解像度と感度に優れたポジ型レジスト組成物に好適な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】5-ヒドロキシ-3-オキサ-2-チア-トリシクロノナンとアクリル酸よりなるアクリル酸エステル(a0)と酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)とを有する高分子化合物。酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)は、前記高分子化合物(A1)を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)と酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)とを有することを特徴とする高分子化合物。
IPC (3件)：
C08F 220/38 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
C08F220/38 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (53件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AL08T ,  4J100AL26Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA05S ,  4J100BA06S ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11S ,  4J100BA15Q ,  4J100BA20S ,  4J100BA40R ,  4J100BB18R ,  4J100BC02Q ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC08S ,  4J100BC08T ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC09T ,  4J100BC12Q ,  4J100BC12T ,  4J100BC15S ,  4J100BC53S ,  4J100BC84P ,  4J100BD12 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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