特許
J-GLOBAL ID：200903003224165557
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-086923
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308435
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【目的】 劈開の難しい基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、基板水平方向に対してビーム中心の出射方向が水平なレーザビームが得られる。【構成】 基板の上に窒化物半導体層が成長されて、その窒化物半導体層の共振面がエッチングにより形成されており、さらに前記共振面から出射されるレーザ光が、共振面よりも突出した基板を含む部分に遮られないようにされているので、レーザ光が突出部で反射、透過されない。
請求項（抜粋）：
基板の上に窒化物半導体層が成長されて、その窒化物半導体層の共振面がエッチングにより形成されており、その共振面と基板分割面との間にエッチングにより形成された面を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (8件)
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特開昭63-019891
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半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-039443
出願人：株式会社日立製作所
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特開平4-255285
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