特許

J-GLOBAL ID：200903053040668600

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 妹尾 雅之 ,  山田 孝夫 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003033
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191171
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】 窒化物半導体を用いてレーザ素子を実現するにあたり、まず反射鏡となる適切な光共振面を形成することにより、レーザ発振が可能となるレーザ素子を提供する。【構成】 基板上に窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が積層されてなるレーザ素子であって、そのレーザ素子の光共振面の少なくとも一方に誘電体多層膜が形成されていることにより、光共振面の反射率を高めレーザ発振させる。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が積層されてなるレーザ素子であって、そのレーザ素子の光共振面の少なくとも一方に誘電体多層膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305257   出願人：旭化成工業株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-042126   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092403   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203084   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平3-094482
  
• 特開平4-035081