特許
J-GLOBAL ID：200903003225004115

ポジ型フォトレジスト転写材料およびそれを用いた基板表面の加工方法

発明者：
岩崎 政幸

岩崎 政幸 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-143850
公開番号（公開出願番号）：特開2002-341525
出願日： 2001年05月14日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：
【要約】【課題】 仮支持体/熱可塑性樹脂層/中間層/フォトレジスト層からなる転写材料において、中間層/フォトレジスト層間で剥離することにより、ポジ型のフォトレジスト層を、転写法により基板上に形成することにより、大型のTFT基板やPDP基板の半導体回路の形成を可能とする。【解決手段】 仮支持体37の接着性表面側37aに、アルカリ可溶性熱可塑性樹脂層36、中間層35、ポジ型フォトレジスト層34の順に塗布形成し、ポジ型フォトレジスト層と中間層間の接着性が最も低いことを特徴とするポジ型フォトレジスト転写材料、及びこのポジ型フォトレジスト転写材料を基板上に積層し、ポジ型フォトレジスト層と中間層間で剥離、除去後、基板上のポジ型フォトレジスト層をパターン露光、現像後、エッチング処理し、レジスト剥離液で剥離することにより、ポジ型フォトレジスト層を基板表面に形成する。
請求項（抜粋）：
仮支持体の接着性表面を有する面とは反対側面に帯電防止層を有し、仮支持体の前記接着性表面側にアルカリ可溶性熱可塑性樹脂層、中間層、ポジ型フォトレジスト層の順に塗布形成され、ポジ型フォトレジスト層の上に保護フィルムが積層されているポジ型フォトレジスト転写材料であって、ポジ型フォトレジスト層がアルカリ可溶性カルボン酸基含有樹脂と1,2-キノンジアジド化合物からなり、基板に転写した後で、仮支持体とアルカリ可溶性熱可塑性樹脂層との接着力がポジ型フォトレジスト層と中間層間の接着力よりも高く、ポジ型フォトレジスト層と中間層間の接着性が最も低いことを特徴とするポジ型フォトレジスト転写材料。
IPC (12件)：
G03F 7/004 512 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/032 ,  G03F 7/09 ,  G03F 7/09 501 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3065 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/06
FI (12件)：
G03F 7/004 512 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/032 ,  G03F 7/09 ,  G03F 7/09 501 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/11 503 ,  H05K 3/00 F ,  H05K 3/06 J ,  H01L 21/30 575 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/306 A
Fターム (37件)：
2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025CB43 ,  2H025CB52 ,  2H025DA01 ,  2H025DA19 ,  2H025DA35 ,  2H025DA40 ,  2H025EA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA40 ,  2H025FA47 ,  5E339AA01 ,  5E339AB05 ,  5E339AD01 ,  5E339BD11 ,  5E339BE11 ,  5E339CC01 ,  5E339CD01 ,  5E339CE11 ,  5E339CF01 ,  5E339CF07 ,  5E339CG04 ,  5E339DD04 ,  5F004AA16 ,  5F004EA01 ,  5F004FA08 ,  5F043CC01 ,  5F043CC05 ,  5F043CC06 ,  5F043GG10 ,  5F046NA07 ,  5F046NA19
引用特許：
審査官引用 (15件)
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