特許
J-GLOBAL ID：200903003270669977
不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182198
公開番号（公開出願番号）：特開2000-020252
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 一定容量の物理ブロック単位で消去を行う、フラッシュメモリを有する記憶装置において、特定領域のデータの書き換え頻度が高いことによる一部のメモリの劣化により、記憶装置全体の寿命が短くなるのを防止する。【解決手段】 4つのセクタ・データを格納したブロック301の消去回数を計数して、ブロック301内に消去回数306として記録することにより、各ブロックの書き換え頻度を測定し、書き換え頻度が高いと判断した場合は、各セクタを別の特定のブロック302〜305に移す。
請求項（抜粋）：
記憶しているデータの消去を物理ブロック単位で行う、再書き込みが可能な不揮発性半導体メモリと、外部からの読み出しあるいは書き込みを行う最小単位である論理格納ブロック単位でのアドレス指定による読み書き指示に従って、前記半導体メモリに対するデータの読み書きを行う制御手段とを具備し、前記制御手段は、前記物理ブロックごとに、消去回数を計数して記録し、物理ブロックの消去回数が予め定められた回数に達した場合は、当該物理ブロックに割り当てられていた論理格納ブロックを展開領域の物理ブロックに移し、当該論理格納ブロックの以後のアクセスについては、前記移された展開領域内の物理ブロックに対して行うことを特徴とする記憶装置。
IPC (3件)：
G06F 3/08
, G06F 12/16 310
, G11C 16/02
G06F 3/08 H
, G06F 12/16 310 A
, G11C 17/00 601 A
5B018GA02
, 5B018GA04
, 5B018HA14
, 5B018HA23
, 5B018HA24
, 5B018HA35
, 5B018KA14
, 5B018KA18
, 5B018KA21
, 5B018NA06
, 5B018QA01
, 5B018QA16
, 5B025AD01
, 5B025AE01
, 5B065BA05
, 5B065CC02
, 5B065EA03
, 5B065EA12
, 5B065EA27
