特許
J-GLOBAL ID：200903003354766633

スピン注入磁化反転素子

発明者：
斉藤 明

斉藤 明 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-185876
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005664
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】 記録された磁化を保持する特性と、少ない電流密度で磁化反転を可能とする磁化反転の容易さとを両立した記憶素子ならびに微弱電流センサーを提供することにある。【解決手段】 強磁性固定層、分離層および強磁性フリー層備えたスピン注入磁化反転素子において、強磁性固定層が分離層に接している面積が、強磁性フリー層が分離層に接している面積よりも大きいことを特徴とする。 または、強磁性固定層が強磁性第1固定層と強磁性第2固定層に分割され、分離層が第1分離層と第2分離層に分割され、強磁性フリー層の対向する主平面の一方の面に第1分離層を介して強磁性第1固定層が配置され、強磁性フリー層の対向する主平面の他方の面に第2分離層を介して強磁性第2固定層が配置され、強磁性第1固定層と強磁性第2固定層が導通することを特徴とする。 強磁性固定層の磁化と体積の積の値が、強磁性フリー層の磁化と体積の積の値よりも大きいことが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
強磁性固定層、分離層および強磁性フリー層をこの順に備え、該強磁性固定層と強磁性フリー層の間に流す電流によって、該強磁性固定層と強磁性フリー層の磁化の向きが相互に平行な状態と相互に反平行な状態との間の遷移をもたらすスピン注入磁化反転素子において、 前記強磁性固定層が前記分離層に接している面積が、前記強磁性フリー層が前記分離層に接している面積よりも大きいことを特徴とするスピン注入磁化反転素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (5件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083PR39
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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