特許
J-GLOBAL ID：200903003368691490

半導体装置の製造方法

発明者：
山本 哲浩

山本 哲浩 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340228
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181122
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 フリップチップ型半導体装置の製造工程において、樹脂封止前に特性検査を可能にする。【解決手段】 半導体素子3と半導体キャリア4とを補強樹脂9によって仮固定して仮構成体10を形成し、その仮構成体10の状態で樹脂封止工程前に電気的特性の測定、バーンイン検査等をする。不良品についてはその段階でリペア可能であり、高額な半導体素子、半導体キャリアを廃棄しなくても済む。したがって、製造コストロスを抑制することができる。
請求項（抜粋）：
半導体素子上の電極パッド上にバンプ電極を形成する工程と、第1面にバンプ接続用電極と第2面に外部電極端子とを有した半導体キャリアの前記第1面上に補強樹脂を設ける工程と、半導体キャリア上のバンプ接続用電極と前記半導体素子上のバンプ電極とを当接させ、かつ前記補強樹脂により半導体素子と半導体キャリアとを仮固定し、仮構成体を形成する工程と、前記仮構成体を検査し、良品と不良品とを判別する工程と、前記検査で良品となった仮構成体の半導体キャリア上のバンプ接続用電極と半導体素子上のバンプ電極とを接合する工程と、半導体素子と半導体キャリアとの隙間に封止樹脂を注入し、硬化させ樹脂封止を行なう工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 21/66 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 321 Z ,  H01L 21/66 H ,  H01L 23/12 L
引用特許：
審査官引用 (7件)
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