特許
J-GLOBAL ID：200903003411220014
半導体装置の研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-306160
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150010
出願日： 1996年11月18日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】LSIウエハのCMPにおいて、安定な高研磨能率を持つ研磨方法の提供および、研磨液、研磨パッド等の消耗部材の使用量が低減できる手段を提供する。【解決手段】研磨パッド上の研磨砥粒に電界を作用させ、研磨パッド表面近傍の研磨液溶媒の拡散層内に研磨砥粒を吸引し、拡散層にて砥粒を保持するようにした。研磨パッドに平坦性と剛性のある非発泡体の樹脂板を用いた。
請求項（抜粋）：
微細回路パターンを形成した半導体基板の表面を加圧ヘッドを介して研磨定盤に貼付された研磨パッドに押し付け、研磨液中の研磨砥粒に電界を作用させ、前記半導体基板と前記研磨パッド間に前記研磨砥粒を送り込み、前記半導体基板の表面を平坦に研磨する半導体装置の研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, B23H 5/00
, B24B 1/00
H01L 21/304 321 M
, B23H 5/00 F
, B24B 1/00 A
