特許
J-GLOBAL ID:200903003453548150

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-248744
公開番号(公開出願番号):特開2002-064114
出願日: 2000年08月18日
公開日(公表日): 2002年02月28日
要約:
【要約】【課題】 ノンリード型半導体装置の製造において、ゲート硬化レジンやエアーベント硬化レジンの切断時、レジンクラックやレジン屑の発生を抑える。【解決手段】 封止体と、封止体の実装面にリード及びタブ吊りリードが露出し、封止体を形成する結果残留するゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンを有するノンリード型半導体装置の製造において、封止体を形成するモールド金型のキャビティの全周において距離樹脂が流れる溝は設けない。この溝を設けない領域の外側にはゲートやエアーベントを設ける。キャビティとゲート及びエアーベントとの間の樹脂の流れは、隣合うリードやタブ吊りリードとの間の隙間を通して行う。溝を設けない箇所でリードやタブ吊りリードを切断すれば、ゲート硬化レジンやエアーベント硬化レジンはその表面がリードやタブ吊りリードと同じでかつ平坦であるため、レジン屑やレジンクラックの発生を抑止できる。
請求項(抜粋):
絶縁性樹脂からなる封止体と、前記封止体の実装面にリード及びタブ吊りリードが露出し、前記封止体を形成する結果残留するゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンを有する半導体装置であって、前記ゲート硬化レジン及びエアーベント硬化レジンはタブ吊りリードとリードの間のレジンバリ部分にレジンバリの厚さと同じまたはそれよりも小さい厚さとなって埋没して存在していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/56 ,  H01L 23/50
FI (4件):
H01L 21/56 T ,  H01L 23/50 B ,  H01L 23/50 J ,  H01L 23/50 Q
Fターム (18件):
5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DA05 ,  5F061DA08 ,  5F061DD12 ,  5F061EA03 ,  5F061EA13 ,  5F067AA07 ,  5F067AB03 ,  5F067BA02 ,  5F067BA08 ,  5F067BD05 ,  5F067BD10 ,  5F067DB00 ,  5F067DE01 ,  5F067DE17 ,  5F067DF16
引用特許:
審査官引用 (4件)
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