多重量子井戸型半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-212230
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294530
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】均一な発光をする発光特性に優れた半導体発光装置を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2とn型AlGaInPクラッド層3とGaInP/AlGaInPMQW構造の活性層4とp型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6とp型GaAsキャップ層7とを順次成長させ、p型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6およびp型GaAsキャップ層7をメサ構造にし、n型GaAs電流ブロック層8をメサ構造の両側に成長させて積層する。活性層4はn型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層3とp型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層5と50Å厚の(Al0.35Ga0.65)0.5 In0.5 Pバリア層と40Å厚の中央に位置するGa0.52In0.48P量子井戸層と、46Å厚のクラッド層寄りのGa0.52In0.48P量子井戸層からなっている。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上に、少なくとも第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に設けられた活性層部と、前記活性層部上に設けられた第2導電型の第2のクラッド層からなる半導体発光素子において、活性層部が3個以上の量子井戸を有する際に、中央の1個以上の量子井戸とクラッド層に隣接する両端の2個の量子井戸の厚さが異なることを特徴とする多重量子井戸型半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 , H01S 3/07

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B , H01S 3/07

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-229487
特開平2-229487
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-315717 出願人：三菱電機株式会社

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