半導体レーザ装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-089854
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297481
出願日： 1994年04月27日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】光閉じ込め係数を変化させることなく多重量子井戸活性層に注入されるキャリアの濃度が増加された半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 S-MQW活性層3においてp側に近い障壁層B1の厚さを薄くし、n側に近い障壁層B3の厚さを厚くする。それにより、S-MQW活性層3の全体の厚さおよび井戸層W1,W2,W3,W4の合計の厚さを変えずにS-MQW活性層3に注入されるホールの濃度を増加させる。

請求項（抜粋）：

複数の井戸層および複数の障壁層が交互に積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザ装置において、前記活性層内のn側の井戸層のホール濃度を増加させたことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

光半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-278543 出願人：株式会社東芝
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-315717 出願人：三菱電機株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-361312 出願人：アンリツ株式会社

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