特許

J-GLOBAL ID：200903003508148482

液相エピタキシャルウエーハの残留Ga除去方法

発明者： 川崎 真 ,  山田 雅人 ,  樋口 晋
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219654
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050978
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】 反応性の高い液相エピタキシャルウエーハに異物として残留するGaを的確・迅速に除去する。【解決手段】 界面活性剤を含む洗浄液21を洗浄槽2に貯溜し、ヒータ4により温度35°C以上に加熱しておき、ウエーハWの多数枚を収納したウエーハ容器11を洗浄液に浸漬した後、超音波振動子3を作動させる。残留Gaは、界面活性剤と超音波受振の相乗効果によりウエーハ表面から迅速・容易に未溶解で離脱除去され、洗浄槽21下部に沈澱する。したがって、ウエーハに化学的損傷・機械的損傷のいずれも与えることなく、残留Gaを短時間にバッチ処理で完全に除去することができる。上記除去操作の自動化も可能であるうえ、使用後の洗浄液を沈澱物(Ga)-液(洗浄液)分離することで容易、かつ安価にGaを回収することができる。

請求項（抜粋）：

液相エピタキシャルウエーハに付着異物として残留するGaを除去するに際し、前記液相エピタキシャルウエーハを、界面活性剤を含む洗浄液中で振動洗浄することを特徴とする液相エピタキシャルウエーハの残留Ga除去方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  C30B 29/40 501 Z ,  H01L 21/208 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• GaP結晶の洗浄液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-307827   出願人：住友金属鉱山株式会社
• 洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-063685   出願人：株式会社日立製作所
• レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-146873   出願人：株式会社ソルテック