特許
J-GLOBAL ID：200903003522903471
微細パターン描画材料、それを用いた描画方法及び微細パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
阿形 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-172790
公開番号（公開出願番号）：特開2002-365806
出願日： 2001年06月07日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：
【要約】【課題】 大規模の装置を必要とせずに、回折限界よりはるかに小さい微細加工が可能で、急激な熱上昇によるレジスト材料の変形や蒸発を伴うことなく、かつ使用可能な光の範囲を拡大することができ、しかも既存の光リソグラフィー法と組み合わせることができる微細パターン描画方法と微細パターン形成方法とそれに用いる新規な材料を提供する。【解決手段】 基板上に、光吸収熱変換層と光及び熱感応性物質層を設けてなる微細パターン描画材料、これを用いて光照射により描画する微細パターン描画方法、及びこの微細パターン描画材料を用いて、光照射によりパターン描画を行ったのち、さらに露光処理及び現像処理を行う微細パターン形成方法である。
請求項（抜粋）：
基板上に、光吸収熱変換層と光及び熱感応性物質層を設けてなる微細パターン描画材料。
IPC (5件)：
G03F 7/095
, G03F 7/11 501
, G03F 7/20 505
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
G03F 7/095
, G03F 7/11 501
, G03F 7/20 505
, G03F 7/38 511
, H01L 21/30 502 R
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AB20
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BB03
, 2H025DA01
, 2H025DA31
, 2H025DA40
, 2H025FA04
, 2H096AA25
, 2H096AA30
, 2H096BA09
, 2H096CA20
, 2H096EA04
, 2H096EA12
, 2H096KA30
, 2H097AA03
, 2H097CA17
, 2H097GB04
, 2H097LA10
