非極性m面窒化物半導体の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高村順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-115733
公開番号（公開出願番号）：特開2007-290960
出願日： 2007年04月25日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】結晶品質に優れている比較的大口径のサファイア基板を用いたm面窒化物半導体の成長方法を提供する。【解決手段】ほぼ(11-23)面であるサファイア基板を備える段階と、上記サファイア基板上に非極性m面(10-10)窒化物半導体を成長させる段階と、を含む窒化物半導体の製造方法を提供する。また、他のm面六方晶半導体のための製造工程として同様に適用することができる。また、前記サファイア基板の結晶面がc軸方向に対して、またはc軸方向に垂直の方向に対して約±5°以内のオフ角を有することが好ましい。前記非極性m面窒化物半導体を成長させる段階の前に、前記サファイア基板上にm面六方晶構造を有する緩衝層を成長させる段階をさらに含んでいてもよい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ほぼ(11-23)面であるサファイア基板を備える段階と、前記サファイア基板上に非極性m面(10-10)窒化物半導体を成長させる段階とを含む窒化物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , C30B 25/18

FI (3件)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , C30B25/18

Fターム (38件)：

4G077AA02 , 4G077AB02 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F045AA03 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC12 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045HA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願公開第2003/0198837号明細書(公開日:2003.10.23、発明者:Michael D.Craven他)

審査官引用 (4件)

窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-248709 出願人：ソニー株式会社
III-V族窒化物系半導体自立基板及びその製造方法並びにIII-V族窒化物系半導体
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-162189 出願人：日立電線株式会社
単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-129971 出願人：株式会社アライドマテリアル

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