特許

J-GLOBAL ID：200903037770614127

気相エピタキシにより低い欠陥密度を有する窒化ガリウム膜を作成するプロセス

発明者： ベルナール、ボーモン ,  ピエール、ギバール ,  ジャン-ピエール、フォーリー
出願人/特許権者： リュミログ
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  箱崎 幸雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-523874
公開番号（公開出願番号）：特表2005-534182
出願日： 2003年07月24日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

本発明は、気相エピタキシにより低い欠陥密度を有する窒化ガリウム膜を準備する方法に関する。本発明は、窒化ガリウムの気相エピタキシ蒸着により基板から窒化ガリウム(GaN)膜を製造する方法に関する。本発明において、窒化ガリウム蒸着は少なくとも1つの気相エピタキシャル横方向過度成長のステップを含み、前記気相エピタキシャル横方向過度成長ステップの少なくとも1つに先行して、事前に蒸着された誘電体マスクに、または直接基板に孔のエッチングを行い、前記エピタキシャル横方向過度成長ステップの1つの間に転位の環境内に非対称を導入することにより最大の数の湾曲を転位に発生させ、湾曲した転位は結果として生じた窒化ガリウム層の表面には出現しないことを特徴とする。本発明はまた、前記窒化ガリウム膜から製造された光電子および電子部品に関する。

請求項（抜粋）：

気相エピタキシにより窒化ガリウム(GaN)を蒸着することによって、基板から開始してGaNの膜を作成するプロセスであって、 前記GaN蒸着は少なくとも1つの気相エピタキシャル横方向過度成長(ELO)ステップを含み、これらのELOステップの少なくとも1つに先行して: 事前に蒸着された誘電体マスクに または直接基板に 孔のエッチングを行い、 湾曲した転位はこのようにして得たGaN層の表面に出現しないので、上記ELOステップの1つの間に転位環境内に非対称を導入することにより可能な限り大きな数の転位湾曲を発生させることを特徴とする、プロセス。

IPC (6件)：

H01L21/205 ,  C30B23/04 ,  C30B29/38 ,  C30B30/02 ,  C30B30/04 ,  H01S5/323

FI (6件)：

H01L21/205 ,  C30B23/04 ,  C30B29/38 D ,  C30B30/02 ,  C30B30/04 ,  H01S5/323 610

Fターム (20件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EJ01 ,  4G077EJ02 ,  4G077EJ04 ,  4G077HA02 ,  4G077SC10 ,  5F045AB14 ,  5F045BB12 ,  5F045DB02 ,  5F045HA16 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP04 ,  5F173AP06 ,  5F173AP19 ,  5F173AP20 ,  5F173AP33 ,  5F173AR96

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-217911   出願人：ソニー株式会社
• 半導体基板およびその作製方法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-032694   出願人：株式会社リコー
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-080288   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特許第6325850号