窒化物系III-V族化合物半導体装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-248709
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082671
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】窒化系物III-V族化合物半導体層が成膜される半導体装置において、結晶性にすぐれた窒化系物III-V族化合物半導体層を得ることができるようにすし、電気的特性にすぐれ、長寿命化を図ることができ、更に設計の自由度を高めることのできる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板2上に、GaN層を含むエピタキシャル成長半導体層4が形成されてなる窒化物系III-V族化合物半導体装置であって、そのGaN層の格子定数aが、少なくとも0.3183nm以下となる構成として、結晶性にすぐれた窒化物系III-V族化合物半導体層を得ることができるようにする。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に、少なくともGaN層を含むエピタキシャル成長半導体層が形成されてなる窒化物系III-V族化合物半導体装置であって、上記GaN層の格子定数aが、0.3183nm以下に形成されて成ることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01S 3/00 , H01S 3/02 , H01S 5/30

FI (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01S 3/00 , H01S 3/18 , H01S 3/02

Fターム (44件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC18 , 5F045AD09 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE30 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB07 , 5F045BB12 , 5F045CA07 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA61 , 5F045EB15 , 5F045EE12 , 5F045HA16 , 5F052AA18 , 5F052CA01 , 5F052DA04 , 5F052DB01 , 5F052EA11 , 5F052HA08 , 5F052JA10 , 5F052KA02 , 5F072AB13 , 5F072AK04 , 5F072JJ03 , 5F072RR05 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB01 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (3件)

損失導波型半導体レーザー
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-221249 出願人：ゼロックスコーポレイション
窒化ガリウム系半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-066110 出願人：松下電器産業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の気相エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-261598 出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

審査官引用 (2件)

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