特許
J-GLOBAL ID：200903065381391396
III-V族窒化物系半導体自立基板及びその製造方法並びにIII-V族窒化物系半導体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-162189
公開番号（公開出願番号）：特開2005-343713
出願日： 2004年05月31日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 III-V族窒化物系半導体のエピタキシャル成長に好適な所定のオフ角を有するIII-V族窒化物系半導体自立基板を製造する方法を提供する。【解決手段】 C面からa軸方向またはm軸方向に0.07°〜20°傾いた表面を持つサファイア基板を用い(工程A)、当該基板上にIII-V族窒化物系半導体単結晶のエピタキシャル層を成長させた後(工程B)、エピタキシャル層を前記異種基板から剥離させ(工程C)、所望のオフ角を有するIII-V族窒化物系半導体の自立基板を得る。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
六方晶系の結晶構造を有するIII-V族窒化物系半導体単結晶からなる自立基板であって、表面をC面からa軸方向に0.09°以上、24°以下の範囲で傾けることによりオフ角を付けたことを特徴とするIII-V族窒化物系半導体自立基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE11
, 4G077BE15
, 4G077DB01
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE06
, 4G077EF03
, 4G077FJ03
, 4G077HA12
, 4G077TB03
, 4G077TB05
, 4G077TC14
, 4G077TC16
, 4G077TC17
, 4G077TK01
, 4G077TK11
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
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