特許
J-GLOBAL ID：200903003539695821

光電変換装置の製造方法

発明者：
大沼 英人

大沼 英人 について

, 
廣瀬 貴史

廣瀬 貴史 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-319106
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177145
出願日： 2008年12月16日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】資源を有効活用し、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板に脆化層を形成し、且つ単結晶シリコン基板の一表面側に第1不純物シリコン層を形成し、第1不純物シリコン層上に第1電極を形成する。支持基板の一表面側と第1電極とを貼り合わせた後、熱処理を行い、脆化層を境として単結晶シリコン基板を分離させ、支持基板上に単結晶シリコン層を形成する。単結晶シリコン層の結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理を行った後、シラン系ガスを少なくとも含む原料ガスを用い、大気圧或いは大気圧近傍下で生成したプラズマにより原料ガスを活性化させ、単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させ、該エピタキシャル成長させた表面側に第2不純物シリコン層を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板の一表面側からイオン又はクラスターイオンを照射して前記一表面側から所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記単結晶シリコン基板の一表面側に第1不純物シリコン層および第1電極を形成し、 支持基板の一表面側と、前記単結晶シリコン基板の前記一表面側と、を対向させ、前記支持基板の一表面側と前記第1電極とを重ね合わせて貼り合わせ、 熱処理を行い、前記脆化層を境として前記単結晶シリコン基板を分離させ、前記支持基板上に単結晶シリコン層を形成し、 前記単結晶シリコン層の結晶欠陥修復処理又は結晶欠陥除去処理を行った後、 シラン系ガスを少なくとも含む原料ガスを用い、大気圧或いは大気圧近傍下で生成したプラズマにより前記原料ガスを活性化させ、前記単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させ、 前記単結晶シリコン層のエピタキシャル成長させた表面側に第2不純物シリコン層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (6件)：
5F051AA02 ,  5F051CB12 ,  5F051CB19 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 薄膜太陽電池の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-239445   出願人：日本電信電話株式会社
  • 特許第3480448号
審査官引用 (4件)
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