特許
J-GLOBAL ID:200903003581461547

樹脂封止型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-095256
公開番号(公開出願番号):特開平8-288428
出願日: 1995年04月20日
公開日(公表日): 1996年11月01日
要約:
【要約】【目的】樹脂封止型半導体装置において、樹脂封止工程における半導体素子のシフトの防止と、低熱抵抗化を実現する。【構成】樹脂封止型半導体装置のパッケージのリードフレーム1より下の部分をあらかじめ高熱伝導性樹脂2によりキャビティを有する成形体を成形し、このキャビティにダイパッド4を固着して半導体素子3を搭載後、熱硬化性樹脂6により樹脂封止することにより、樹脂封止工程における半導体素子3のシフトを防止し、パッケージ下部の高熱伝導性樹脂2により樹脂封止型半導体装置の低熱抵抗化を実現することができる。
請求項(抜粋):
キャビティが成形された高熱伝導性樹脂と、前記キャビティ内に固着されたダイパッドと、このダイパッド上に接着された半導体素子と、前記キャビティが成形された高熱伝導性樹脂の上部に貼付されたリードフレームと、このリードフレームと前記半導体素子を接続するボンディングワイヤと、前記キャビティが成形された高熱伝導性樹脂の上部で前記半導体素子と前記ボンディングワイヤと前記リードフレームを封止する熱硬化樹脂とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (7件):
H01L 23/28 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/26 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B29L 31:34
FI (5件):
H01L 23/28 K ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/26 ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/30 B
引用特許:
審査官引用 (7件)
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