半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-400235
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197654
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】半導体チップの封止工程において製品の不良を少なくすることにある。【解決手段】半導体装置の製造方法は、ニードル42の先端から樹脂30を滴下することによって、半導体チップ18の少なくとも一部を封止することを含み、ニードル42の先端に溜まる余滴32の少なくとも一部を強制的に除去する。

請求項（抜粋）：

ニードルの先端から樹脂を滴下することによって、半導体チップの少なくとも一部を封止することを含み、前記ニードルの先端に溜まる余滴の少なくとも一部を強制的に除去する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 , H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/56 E , H01L 21/60 311 R

Fターム (6件)：

5F044MM46 , 5F044RR19 , 5F061AA02 , 5F061BA05 , 5F061CA04 , 5F061DE06

引用特許：

審査官引用 (4件)

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