特許
J-GLOBAL ID：200903003599909189
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-072414
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270736
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 優れた経済性を確保したうえで、パワー半導体素子に生じる熱量を十分放散することができる、小型で大容量の半導体装置を提供する。【解決手段】 底面電極と上面電極を有する半導体素子21と、半導体素子の底面側に位置する金属ブロック26と、底面電極と金属ブロックとの間に接して配置された導電性を有する素子固着層23と、底面電極と導通する底面電極側リード30と、上面電極と導通する上面電極側リード29と、封止樹脂24とを備える。
請求項（抜粋）：
底面および上面のそれぞれに電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の底面側に位置する金属ブロックと、前記半導体素子の底面電極と前記金属ブロックとの間に接して配置された、導電性を有する素子固着層と、前記半導体素子の底面電極と導通する底面電極側リードと、前記半導体素子の上面電極と導通する上面電極側リードと、前記金属ブロックと、前記半導体素子とを覆い、さらに前記底面電極側リードおよび前記上面電極側リードを突き出させて封止する封止樹脂とを備える、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/48
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/48 G
, H01L 23/36 A
, H01L 25/04 C
5F036AA01
, 5F036BC05
, 5F036BE01
