特許

J-GLOBAL ID：200903003606742341

III-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置

発明者： 弘田 龍 ,  龍見 雅美
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-157041
公開番号（公開出願番号）：特開2001-338887
出願日： 2000年05月26日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：

【要約】【課題】 高圧をかけずに成長速度を高めることができるIII-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置を提供すること。【解決手段】 本発明のIII-V族窒化物系半導体の成長装置1は、III族元素を含むIII族融液5を収容する融液収容部2aと、融液収容部2aを収容すると共に窒素ガスを導入するための導入口4を有する成長容器2と、導入口4から導入された窒素ガスを励起して窒素プラズマにする励起手段3と、を備え、窒素プラズマは融液収容部2a内のIII族融液5に到達可能であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

III族元素を含むIII族融液に、窒素プラズマを接触させることでIII-V族窒化物系半導体を成長させることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/208 ,  C30B 9/06 ,  C30B 29/38

FI (3件)：

H01L 21/208 L ,  C30B 9/06 ,  C30B 29/38 D

Fターム (18件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077EC03 ,  4G077EG30 ,  4G077EJ10 ,  4G077HA12 ,  5F053AA03 ,  5F053AA48 ,  5F053BB38 ,  5F053BB57 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR03 ,  5F053RR05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物結晶の製造方法および窒化物系化合物半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072965   出願人：日立電線株式会社
• 結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-091742   出願人：日立電線株式会社
• 半導体基板の液相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-347222   出願人：スタンレー電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Low pressure synthesis of bulk, polycrystalline gallium nitride
• Growth of oriented thick films of gallium nitride from the melt