光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-241459
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087853
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】活性導波路領域と光導波路領域とを集積した半導体光集積素子を構成要素とする光半導体装置において、発振光における強度雑音レベルの増大を極力抑えながら、反射戻り光によって誘起される発振光の強度雑音の増加を抑制すること。【解決手段】活性導波路13を含む活性導波路領域11に信号電流発生装置21より信号電流を加えて信号光を発生させるとともに、該信号光に対して透明な光導波路14を含む光導波路領域12に装置22より該光導波路領域12の屈折率を変動させるための変調電流または変調電圧を加えることにより、半導体光集積素子10への反射戻り光によって誘起される発振光の強度雑音の増加を抑制する。

請求項（抜粋）：

所定のバンドギャップ波長を有する活性導波路領域と、該活性導波路領域よりも短いバンドギャップ波長を有する光導波路領域とが光学的に結合され、かつ前記活性導波路領域と前記光導波路領域とに各々独立に電流を注入できる構造を有する半導体光集積素子と、前記活性導波路領域で信号光を発生させるための信号電流発生装置と、前記光導波路領域の屈折率を変動させるための変調電流または変調電圧を発生する装置とを具備し、前記信号電流発生装置を前記半導体光集積素子の活性導波路領域の電極に接続し、また、前記変調電流または変調電圧を発生する装置を前記半導体光集積素子の光導波路領域の電極に接続することを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01S 3/103

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01S 3/103

引用特許：

審査官引用 (40件)

特開昭60-187078
光伝送装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-243116 出願人：株式会社東芝
特開昭60-187078

全件表示

前のページに戻る