特許
J-GLOBAL ID：200903003622746004
光I/O部作製方法および光集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-364170
公開番号（公開出願番号）：特開2007-164110
出願日： 2005年12月19日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】 チップ内光伝送およびチップ間光伝送における双方向光伝送を可能ならしめ、且つ、総配線距離および総配線間隔の低減ならびに総伝送容量の増大を図ることのできる光I/O部を作製する方法、およびこの光I/O部を備えた光集積回路を提供する。【解決手段】 エピタキシャル・リフトオフにより生成された光素子を、光集積回路内における光配線との間で光入出力を行う部位に転写する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル・リフトオフにより生成された光素子を、光配線との間で光入出力を行う部位に転写することを特徴とする光I/O部作製方法。
IPC (3件)：
G02B 6/122
, H01S 5/026
, H01L 31/023
G02B6/12 B
, H01S5/026 618
, H01L31/02 C
2H147AA01
, 2H147AB04
, 2H147AB05
, 2H147AB09
, 2H147AB17
, 2H147BD10
, 2H147BG01
, 2H147CB06
, 2H147CB07
, 2H147CC12
, 2H147CC13
, 2H147CC14
, 2H147DA08
, 2H147DA09
, 2H147DA10
, 2H147DA19
, 2H147EA12D
, 2H147EA13A
, 2H147EA13C
, 2H147EA13D
, 2H147EA14A
, 2H147EA14B
, 2H147EA16A
, 2H147EA16B
, 2H147FA02
, 2H147FA05
, 2H147FA06
, 2H147FA07
, 2H147FA08
, 2H147FC05
, 2H147FC06
, 2H147FF01
, 2H147GA08
, 5F088AA01
, 5F088BA15
, 5F088BA18
, 5F088BB01
, 5F173MA01
, 5F173MC22
, 5F173MD27
, 5F173MD37
, 5F173MF22
