特許
J-GLOBAL ID：200903003628782363
発光装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-172364
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351596
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】 光の取出し効率を向上させた発光装置を得る。【解決手段】 この発明に従った発光装置は、GaN基板1と、GaN基板1の第1の主表面の側に、n型AlxGa1-xN層3と、GaN基板1から見てn型AlxGa1-xより遠くに位置するp型AlxGa1-xN層5と、n型AlxGa1-xN層3およびp型AlxGa1-xN層5の間に位置する量子井戸(MQW4)とを備えた発光装置である。発光装置は、p型AlxGa1-xN層5の側をダウン実装し、GaN基板1の第1の主表面と反対側の主表面である第2の主表面1aから光を放出するものである。GaN基板1の第2の主表面1aは凹凸部が形成された領域を含む。また、上記発光装置は、GaN基板1の第2の主表面1a上に形成されたn電極11と、n電極11の側壁を覆うように形成された保護膜30とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第1の主表面の側に、n型窒化物半導体層と、前記窒化物半導体基板から見て前記n型窒化物半導体層より遠くに位置するp型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層の間に位置する発光層とを備えた発光装置であって、
前記p型窒化物半導体層の側をダウン実装し、前記窒化物半導体基板の前記第1の主表面と反対側の主表面である第2の主表面から光を放出し、
前記窒化物半導体基板の前記第2の主表面は凹凸部が形成された領域を含み、
前記窒化物半導体基板の前記第2の主表面上に形成された電極と、
前記電極の側壁を覆うように形成された保護膜とを備える、発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041DA04
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA18
, 5F041DA26
, 5F041FF11
