特許
J-GLOBAL ID:200903003634902788
半導体装置およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮井 暎夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-286278
公開番号(公開出願番号):特開2001-110979
出願日: 1999年10月07日
公開日(公表日): 2001年04月20日
要約:
【要約】【課題】 MCMの形態を取りつつ容易にバックバイアスをとることができ、プロセスコストを抑える。【解決手段】 1あるいは複数の半導体素子14と、複数の半導体キャリア11,15と、半導体キャリア15上面の半導体素子用電極と半導体素子14の突起電極とを接続した導電性接着剤と、一方の半導体キャリア15上面の表面外部電極16と他方の半導体キャリア11底面の裏面外部電極13とを電気的に接続したはんだボール18と、一方の半導体キャリア15に接続した半導体素子14の背面と他方の半導体キャリア11底面の裏面外部電極13のうちのグランド端子とを電気的に接続した導電性ばね材23とを備えた。導電性ばね材23をバイアス付加することにより、高コスト設備工程や複雑なウェット工程を必要とすることなく、バックバイアス構造のMCMを提供することができる。
請求項(抜粋):
複数の突起電極を有する1あるいは複数の半導体素子と、前記半導体素子の突起電極に対応する半導体素子用電極と前記半導体素子が存在しない位置に形成された表面外部電極とを上面に有し格子状に配列された裏面外部電極を底面に有した絶縁性基体からなる複数の半導体キャリアと、前記半導体キャリア上面の半導体素子用電極と前記半導体素子の突起電極とを接続した導電性接着剤と、前記半導体素子と前記半導体キャリアの間隙と前記半導体素子の周辺部を充填被覆している熱硬化性樹脂と、一方の前記半導体キャリア上面の表面外部電極と他方の前記半導体キャリア底面の裏面外部電極とを電気的に接続した接続用材料と、一方の前記半導体キャリアに接続した前記半導体素子の背面と他方の前記半導体キャリア底面の裏面外部電極のうちのグランド端子とを電気的に接続した導電性材料とを備えた半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
引用特許:
審査官引用 (3件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-099502
出願人:日本電気株式会社
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スタックモジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-096410
出願人:日本電気株式会社
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積層半導体パッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-143114
出願人:三星電子株式会社
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