特許
J-GLOBAL ID:200903003636593790

配線構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 忠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-286643
公開番号(公開出願番号):特開平9-214141
出願日: 1996年10月29日
公開日(公表日): 1997年08月15日
要約:
【要約】【課題】 耐熱性、低誘電率、低熱膨張率などの優れた特性を有し、更にフォトレジストと同様なプロセスで高精度かつ微細なヴィアホールをできる、高性能かつ高密度な配線構造を提供する。【解決手段】 少なくとも1層の絶縁膜と導体パターンとを有し、前記絶縁膜の少なくとも1層がフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂からなることを特徴とし、絶縁膜と導体パターンの積層を繰り返すことにより、任意の層数を有する多層配線構造を得ることができる。
請求項(抜粋):
少なくとも1層の絶縁膜と導体電極パターンとを有してなり、前記絶縁膜の少なくとも1層がフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂よりなることを特徴とする配線構造。
IPC (6件):
H05K 3/46 ,  C08F290/06 MRV ,  C08G 65/32 NQN ,  G03F 7/038 503 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/03 610
FI (7件):
H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 N ,  C08F290/06 MRV ,  C08G 65/32 NQN ,  G03F 7/038 503 ,  H05K 1/03 610 M ,  H01L 23/12 N
引用特許:
審査官引用 (7件)
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