ヒロックが無いアルミニウム層及びその形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-193115
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033198
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】ヒロックを防止するための導電層及びその形成方法を提供する。【解決手段】ヒロックが無い導電層は、基板302上に形成された少なくとも2つのアルミニウム(Al)層を含む。前記少なくとも2つのAl層は、基板302上に形成されたバリアAl層304と、バリアAl層上に形成された純Al層306とを含む。バリアAl層304は、窒化アルミニウム(AlNx)層、酸化アルミニウム(AlOx)層、酸窒化アルミニウム(AlOxNy)層、または、Al-Nd合金層であっても良い。また、ヒロック等の発生を効果的に抑制するために、純Al層306がバリアAl層304よりも物理的に厚い。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板上に形成された導電パターンを少なくとも備えた電子デバイスにおいて、前記導電パターンは、前記基板上に形成されたバリアAl層と、前記バリアAl層上に形成された純Al層と、を備えた電子デバイス。

IPC (5件)：

H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786

FI (6件)：

H01L21/88 N , H01L21/28 301R , H01L21/88 R , H01L29/58 G , H01L29/78 617L , H01L29/78 617M

Fターム (54件)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB31 , 4M104CC05 , 4M104EE02 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH03 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH10 , 5F033HH18 , 5F033HH20 , 5F033HH32 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM15 , 5F033PP15 , 5F033RR03 , 5F033RR05 , 5F033RR07 , 5F033SS09 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033XX16 , 5F033XX19 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HL07 , 5F110NN02 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (8件)

米国特許第6033542号明細書
半導体装置、撮像装置、放射線検出装置及び放射線検出システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-172734 出願人：キヤノン株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-007050 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-007050 出願人：富士通株式会社
半導体装置、撮像装置、放射線検出装置及び放射線検出システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-172734 出願人：キヤノン株式会社
アルミニウム含有膜のスパッタ蒸着において水素及び酸素ガスを利用する方法及びそれによって得られるアルミニウム含有膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-503258 出願人：マイクロンテクノロジーインコーポレイテッド

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