特許
J-GLOBAL ID：200903003724966475
化学機械研磨用水系分散体、該水系分散体を調製するためのキット、化学機械研磨方法、および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 高畑 ちより
, 鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-185705
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088424
出願日： 2006年07月05日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】金属膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、低摩擦で均一に金属膜を安定して研磨し得る金属膜CMP用スラリーを提供すること。【解決手段】水、重量平均分子量が20万を超えるポリビニルピロリドン、酸化剤、水不溶性金属化合物を形成する第一の金属化合物形成剤と水溶性金属化合物を形成する第二の金属化合物形成剤とを含む保護膜形成剤および砥粒を含有することを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
水、重量平均分子量が20万を超えるポリビニルピロリドン、酸化剤、水不溶性金属化合物を形成する第一の金属化合物形成剤と水溶性金属化合物を形成する第二の金属化合物形成剤とを含む保護膜形成剤および砥粒を含有することを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550C
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058CA05
, 3C058CB02
, 3C058CB04
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
出願人引用 (3件)
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金属用研磨組成物
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-080010
出願人：旭化成株式会社
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研磨スラリー
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-068734
出願人：株式会社東芝, 芝浦メカトロニクス株式会社
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金属CMPにおける研磨用組成物および研磨方法
公報種別：公表公報
出願番号：特願2000-553521
出願人：ロデールホールディングスインコーポレイテッド
審査官引用 (2件)
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