特許
J-GLOBAL ID：200903003736811132

フリップチップ型光半導体素子

発明者：
高岡 美和

高岡 美和 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-354383
公開番号（公開出願番号）：特開2004-080050
出願日： 2003年10月14日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】本発明は各種インジケータや光プリンタのプリンタヘッド用など種々の発光素子や太陽電池などの受光素子として利用可能なフリップチップ型光半導体素子に係わり、特に、駆動基板上への配置においても位置精度に関わりなく短絡が極めて少ない高輝度フリップチップ型光半導体素子を提供することにある。【解決手段】本発明は透光性絶縁基板に形成された窒化物半導体の同一平面側に正と負の電極が設けられ、該電極表面の露出部を除いて窒化物半導体層表面を被覆した保護膜を有するフリップチップ型光半導体素子である。特に、保護膜は絶縁性被膜からなる第1層と、第1層上の金属層と、金属層上に絶縁性被膜からなる第2層の少なくとも3層構造からなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透光性絶縁基板に形成された窒化物半導体の同一平面側に正と負の電極が設けられ、該電極表面の露出部を除いて窒化物半導体層表面を被覆した保護膜を有するフリップチップ型光半導体素子であって、 前記保護膜は絶縁性被膜からなる第1層と、該第1層上の金属層と、該金属層上に絶縁性被膜からなる第2層の少なくとも3層構造を有することを特徴とするフリップチップ型光半導体素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (14件)：
5F041AA25 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA87 ,  5F041DA02 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041FF01 ,  5F041FF13
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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