特許
J-GLOBAL ID：200903003751220884

圧電デバイスのリッド、圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス

発明者：
井口 修一

井口 修一 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-028758
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229505
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 リッドのシーム溶接に伴う圧電デバイスの周波数シフト量を低減させることが可能な、圧電デバイスのリッドの提供を目的とする。【解決手段】 線膨張係数の小さいインバー材料またはスーパーインバー材料によりリッド本体11を形成する一方で、リッド本体11の表面に、電解ニッケルメッキにより下層膜13を形成するとともに、無電解ニッケルメッキにより上層膜15を形成した。これにより、無電解ニッケルメッキの融点までリッドの温度を上昇させれば、リッドをシーム溶接することができるので、シーム溶接時におけるリッドの熱膨張量が小さくなる。
請求項（抜粋）：
圧電デバイスのパッケージを封止するリッドであって、リッド本体の表面に、耐腐食材料により下層膜を形成するとともに、前記下層膜より融点の低い材料により上層膜を形成したことを特徴とする圧電デバイスのリッド。
IPC (6件)：
H01L 23/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/25
FI (7件)：
H01L 23/02 C ,  H01L 23/02 J ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/25 A ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/18 101 A
Fターム (4件)：
5J097AA25 ,  5J097AA32 ,  5J097HA04 ,  5J097JJ01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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