特許

J-GLOBAL ID：200903003800358714

プラズマ処理装置用シリコンリング

発明者： 後藤 圭一 ,  川合 信 ,  田村 和義
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086210
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274142
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 生成したプラズマをウエーハ上にフォーカスさせるとともにウエーハ面内の温度分布を均一化させることができるシリコンリングを提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置内のウェーハを載置する電極側で、ウエーハの周辺に配置されるシリコンリングであって、給電部が設けられ、自己発熱する機能を有するシリコンリングおよび該リングを備えたプラズマ処理装置。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理装置内のウェーハを載置する電極側で、ウエーハの周辺に配置されるシリコンリングであって、給電部が設けられ、自己発熱する機能を有することを特徴とするシリコンリング。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 ,  B01J 19/08

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  B01J 19/08 H ,  H01L 21/302 C

Fターム (23件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075EB42 ,  4G075EC10 ,  4G075FC13 ,  5F004AA01 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB23 ,  5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004CA05 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045BB15 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F045EK08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-171370   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-098924   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
• ドライエツチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-302581   出願人：日電アネルバ株式会社