特許
J-GLOBAL ID：200903003802105031

薄膜の形成方法

発明者：
杉浦 和彦

杉浦 和彦 について

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水谷 厚司

水谷 厚司 について

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片山 雅之

片山 雅之 について

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宮地 栄

宮地 栄 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-054424
公開番号（公開出願番号）：特開2001-234345
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 塩化アルミニウム、塩化チタン、水を気化した原料ガスを交互に反応炉10内に供給して、基板上に、酸化アルミニウムと酸化チタンとの交互積層薄膜を形成する薄膜の形成方法において、反応炉や原料ガス供給用通路内のパーティクルを低減する。【解決手段】 反応炉10内へ供給するための原料ガス供給系30、40、50が各原料ガスに応じて複数個設けられており、これら各原料ガス供給系において、バルブA4、T4、H4とバルブA5、T5、H5とを切り替えることにより、原料ガス供給用通路31及び反応室の内部へ、圧力変動を発生させるように不活性ガスとしての窒素ガスをパルス状に供給可能となっている。そして、薄膜の形成工程の前に、この窒素ガスのパルス状供給を、各原料ガス供給系毎にタイミングをずらして順次実行する。
請求項（抜粋）：
液体または固体材料を気化した原料ガスを、原料ガス供給用通路を通して、基板が設置された反応室内へ供給することにより、前記基板上に薄膜を形成する方法において、前記薄膜の形成工程の前に、前記原料ガス供給用通路及び前記反応室の内部へ、圧力変動を発生させるように不活性ガスをパルス状に供給することにより、前記原料ガス供給用通路及び前記反応室内を清浄化する清浄工程を実行することを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 16/44 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
C23C 16/44 J ,  C30B 25/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B
Fターム (28件)：
4G077AA03 ,  4G077DB05 ,  4G077DB13 ,  4G077DB30 ,  4G077EG28 ,  4K030AA03 ,  4K030AA24 ,  4K030BA43 ,  4K030BA46 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA18 ,  5F045AB31 ,  5F045AB40 ,  5F045BB14 ,  5F045CA09 ,  5F045EB06 ,  5F045EB11 ,  5F045EE11 ,  5F045EE14 ,  5F045EE18 ,  5F045EE19 ,  5F045GB02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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