特許
J-GLOBAL ID：200903003809848471

光電気変換素子

発明者：
末光 哲也

末光 哲也 について

, 
木村 俊二

木村 俊二 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-284302
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111093
出願日： 1999年10月05日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：
【要約】【課題】 少量のホールで効率よくドレイン電流を変化させることができる素子を提供すること。【解決手段】 素子は化合物半導体の多層構造からなり、半導体基板1とバッファ層2は入射する光を透過するバンドギャップエネルギーを持つ材料、チャネル層3は光吸収層として作用する材料を選ぶ。バリア層4にはn型の不純物がドープされており、キャリア電子がソース電極5からドレイン電極6に流れる。両電極間の空隙では、表面のフェルミ準位が価電子帯に近いところの表面ピンニング領域7により、光照射しない状態でその直下のチャネル内に電子が存在できない構成とする。バリア層4・チャネル層3・バッファ層2間のエネルギーの関係は、伝導帯はチャネル層3は他の2層より十分低く電子が溜まりやすくし、価電子帯はバリア層4とチャネル層3の間でエネルギー差が極力生じず、バッファ層2はこの2層と同じか、より十分低くする。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)と、その上に不純物をドープしない第1の半導体層であるバッファ層(2)と、その上に所定の波長の光を吸収し、且つバッファ層(2)対して伝導帯エネルギーが電子を閉じこめるのに十分に小さい、不純物をドープしない第2の半導体層であるチャネル層(吸収層)(3)と、その上にチャネル層(吸収層)(3)に対して伝導帯エネルギーが電子の浸入を抑制するのに十分なほど高く、且つホールの浸入を容易にするのに十分なほど価電子帯のエネルギー差が小さいか又は価電子帯エネルギーがチャネル層(吸収層)(3)よりも高い材料で構成された、少なくとも一部n型ドープされた第3の半導体層であるバリア層(4)と、このバリア層(4)の表面にオーミック接触を形成するソース電極(5)及びドレイン電極(6)と、それら電極の間の少なくとも一部のバリア層(4)の表面近傍にキャリア電子が存在しない程度のエネルギーにフェルミ準位が固定されている表面ピンニング領域(7)とから構成されていることを特徴とする光電気変換素子。
Fターム (4件)：
5F049MA14 ,  5F049NA01 ,  5F049QA18 ,  5F049QA20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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