特許

J-GLOBAL ID：200903003834622720

基板処理装置および基板処理方法

発明者： 上田 裕司
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-345726
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151967
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 塗布膜に所定の処理を施す時間を一定にすることを可能とする基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】 塗布膜の形成されたウエハWを処理するエージングユニット(DAC)21は、載置プレート61と、載置プレート61の温度を調節する温調循環装置66と、チャンバ62と、チャンバ62に水蒸気を含むアンモニアガスを供給するガス供給機構70と、制御装置60を具備する。制御装置60は、ウエハWの処理時間を入力する入力部60aを有し、入力部60aに入力された処理時間でウエハWの処理が終了するように、載置プレート61の温度とアンモニアガスの供給量およびアンモニアガスに含まれる水蒸気量を制御する。

請求項（抜粋）：

塗布液が塗布されて塗布膜が形成された基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を載置する載置プレートと、前記載置プレートの温度を調節するプレート温調機構と、前記載置プレートに載置された基板を収容するチャンバと、前記チャンバに所定量の水蒸気を含むアンモニアガスを供給するガス供給機構と、前記基板の処理時間を入力する入力部を有し、前記入力部に入力された処理時間で前記基板の処理が終了するように、前記載置プレートの温度と前記アンモニアガスの供給量および前記アンモニアガスに含まれる水蒸気量を制御する制御機構と、を具備することを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  B05C 9/14 ,  B05D 3/10

FI (3件)：

H01L 21/31 A ,  B05C 9/14 ,  B05D 3/10 H

Fターム (22件)：

4D075BB23Z ,  4D075BB70Z ,  4D075BB79Z ,  4D075BB91Z ,  4D075BB93Z ,  4D075BB95Z ,  4D075CA23 ,  4D075DA06 ,  4D075DC22 ,  4F042AA02 ,  4F042AA07 ,  4F042BA01 ,  4F042BA13 ,  4F042BA19 ,  4F042DB04 ,  4F042DB09 ,  4F042DB17 ,  4F042DC01 ,  4F042DC03 ,  5F045AC12 ,  5F045EE03 ,  5F045HA16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-049040   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• プラズマCVD装置及び酸化膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-298044   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
• ガス処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-092496   出願人：東京エレクトロン株式会社