不揮発性メモリ抵抗体セル及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：政木良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-361983
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203178
出願日： 2005年12月15日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：

【課題】双極性パルスによる書き換え可能な非対称構造の不揮発性メモリ抵抗体セル及びその製造方法を提供する。【解決手段】製造方法は、ナノチップ104を備えた第1電極102の形成、ナノチップ104付近のメモリ抵抗体材料106の形成、及び、メモリ抵抗体材料106付近の第2電極108の形成を含み、その結果、メモリ抵抗体材料106は第1電極102と第2電極108の中間に位置する。通常、ナノチップ104は酸化イリジウム(IrOx)で形成され、底部寸法が約50nm以下であり、突起高が5〜50nmの範囲であり、突起密度が1μm2当たり100本を越える。一態様において、基板材料は、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、もしくは貴金属である。Irの堆積には、有機金属化学的気相成長法(MOCVD)を用いる。IrOxナノチップは堆積したIrから成長する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ナノチップ(nanotip:超微小突起)を備えた第1電極を形成する工程と、前記ナノチップに隣接するメモリ抵抗体材料を形成する工程と、前記メモリ抵抗体材料に隣接する第2電極を形成する工程と、を備え、前記メモリ抵抗体材料が前記第1電極と前記第2電極の間に位置することを特徴とする不揮発性メモリ抵抗体セルの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/10 , H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08

FI (3件)：

H01L27/10 451 , H01L27/10 447 , H01L43/08 M

Fターム (9件)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA60 , 5F083PR21 , 5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,693,821号明細書

審査官引用 (6件)

プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-599033 出願人：アリゾナボードオブリージェンツ
マルチステートエレメントを有するメモリー・アレーと該アレーあるいは該アレーのセルを形成するための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-501467 出願人：ミクロンテクノロジーインコーポレイテッド
相変化媒体メモリデバイスのための、熱損失が小さく接触面積が小さい複合電極
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-097798 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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