特許
J-GLOBAL ID：200903003884611517
マルチpHセンサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
鈴木 崇生
, 梶崎 弘一
, 尾崎 雄三
, 谷口 俊彦
, 今木 隆雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-153747
公開番号（公開出願番号）：特開2005-337755
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 試料のpHの分布状態を三次元的に把握するとともに、微小領域におけるpHの分布状態を、高い測定精度および優れた応答性をもって測定することが可能なマルチpHセンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板1を下地として結晶成長させた突起(プローブ)2を複数有するマルチプローブタイプのセンサであって、プローブ2の表面にアミノ基が固定され、試料中の水素イオン濃度(pH)に感応する機能を有することを特徴とする。前記マルチpHセンサであって、異なる高さを有するプローブ2が配列されて形成されることを特徴とする。前記半導体基板1に、少なくとも1以上の増幅回路あるいは/および信号処理回路3を形成することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板を下地として結晶成長させた突起(プローブ)を複数有するマルチプローブタイプのセンサであって、プローブの表面にアミノ基が固定され、試料中の水素イオン濃度(pH)に感応する機能を有することを特徴とするマルチpHセンサ。
IPC (3件)：
G01N27/414
, G01N27/416
, G01N37/00
G01N27/30 301R
, G01N37/00 102
, G01N27/30 301W
, G01N27/30 301V
, G01N27/46 353Z
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
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