特許
J-GLOBAL ID：200903003924472906
有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野寺 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-008774
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235753
出願日： 2005年01月17日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 薄膜トランジスタが形成された基板側から有機EL層の発光を取り出すボトムエミッション構造、及び、基板と反対側から有機EL層の発光を取り出すトップエミッション構造のアクティブ型有機EL表示装置において、有機EL層から発光を効率よ取り出すことが可能な有機EL表示装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 ボトムエミッション構造及びトップエミッション構造のアクティブ型有機EL表示装置において、それぞれ適切な層(102,106,107)に、SiOを含有する絶縁膜で膜中に微小空孔を有する多孔質絶縁膜を形成し、膜密度、膜屈折率、膜中の空孔径、膜中の平均空孔径、膜中の極大空孔径を制御することで、有機EL層を挟む透明電極や表示装置の透明基板よりも屈折率が低く、かつ膜中に微小空孔が存在することで光散乱効果が得られ、有機EL層(110)からの発光を効率よく外部に取り出す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタが形成された基板を有するアクティブ型有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス層に接する透明電極と該有機エレクトロルミネッセンス層からの発光を外部に取り出す面との間に、膜中に微小空孔を有する多孔質でSiOを含有する多孔質絶縁膜を有し、
前記多孔質絶縁膜の膜密度が0.6g/cm3以上1.8g/cm3未満の特性を有し、
前記多孔質絶縁膜の膜屈折率が前記透明電極よりも低い特性を有することを特徴とするアクティブ型有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
IPC (3件)：
H05B33/02
, H05B33/10
, H05B33/14
H05B33/02
, H05B33/10
, H05B33/14 A
3K007AB03
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007BB06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007GA00
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (13件)
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